P-kanal transistor STP80PF55, 80A, 80A, TO-220, TO-220AB, 55V

P-kanal transistor STP80PF55, 80A, 80A, TO-220, TO-220AB, 55V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
22.84kr
5-24
19.15kr
25-49
16.85kr
50-99
15.14kr
100+
29.17kr
Antal i lager: 28

P-kanal transistor STP80PF55, 80A, 80A, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 80A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 5500pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: -. G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): 57A. Id(imp): 320A. Kanaltyp: P. Kostnad): 1130pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 300W. Port-/källspänning Vgs: 16V. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 165 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: STripFETTM II Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 110 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Sgs Thomson. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:58

STP80PF55
27 parametrar
ID (T=25°C)
80A
Idss (max)
80A
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
55V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
5500pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
G-S Skydd
nej
ID (T=100°C)
57A
Id(imp)
320A
Kanaltyp
P
Kostnad)
1130pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
300W
Port-/källspänning Vgs
16V
Resistans Rds På
0.016 Ohms
RoHS
ja
Td(av)
165 ns
Td(på)
35 ns
Teknik
STripFETTM II Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
110 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Sgs Thomson