P-kanal transistor SPP18P06P, 18.7A, 10uA, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=25°C): 18.7A. Idss (max): 10uA. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 230pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: dv/dt-klassat förbättringsläge. G-S Skydd: diod. ID (T=100°C): 13.2A. IDss (min): 0.1uA. Id(imp): 74.8A. Kanaltyp: P. Kostnad): 95pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 18P06P. Pd (effektförlust, max): 81W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 0.102 Ohms. Td(av): 25 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: SIPMOS Power-Transistor. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2.7V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:54