P-kanal transistor SI9407BDY, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 4.7A. Idss (max): 10nA. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Avloppsskydd: diod. C(tum): 600pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): 3.8A. IDss (min): 1nA. Id(imp): 30A. Kanaltyp: P. Kostnad): 70pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 3.2W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 35 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Trr-diod (Min.): 30 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:30