P-kanal transistor SI4925BDY, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v

P-kanal transistor SI4925BDY, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v

Kvantitet
Enhetspris
1-4
18.75kr
5-49
15.49kr
50-99
13.83kr
100+
12.16kr
Antal i lager: 2249

P-kanal transistor SI4925BDY, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7.1A. Idss (max): 7.1A. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 8. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): 5.7A. IDss (min): 1uA. Kanaltyp: P. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 1uA. Resistans Rds På: 0.02 Ohms. RoHS: ja. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Trr-diod (Min.): 60 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 02/01/2026, 10:25

Teknisk dokumentation (PDF)
SI4925BDY
19 parametrar
ID (T=25°C)
7.1A
Idss (max)
7.1A
Hölje
SO
Hölje (enligt datablad)
SO-8
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
2
Antal terminaler
8
Avloppsskydd
ja
G-S Skydd
nej
ID (T=100°C)
5.7A
IDss (min)
1uA
Kanaltyp
P
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
1uA
Resistans Rds På
0.02 Ohms
RoHS
ja
Teknik
TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET
Trr-diod (Min.)
60 ns
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay