P-kanal transistor SI4435DDY, SO8
Kvantitet
Enhetspris
1-4
17.79kr
5-9
11.10kr
10-19
9.41kr
20-49
8.53kr
50+
7.87kr
| Antal i lager: 15 |
P-kanal transistor SI4435DDY, SO8. Hölje: SO8. Avgift: 50nC. Dräneringskälla spänning: -30V. Dräneringsström: -6.5A, -8.1A. Effekt: 5W. Grindspänning: ±20V. Montering/installation: SMD. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Typ av transistor: P-MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:15
SI4435DDY
11 parametrar
Hölje
SO8
Avgift
50nC
Dräneringskälla spänning
-30V
Dräneringsström
-6.5A, -8.1A
Effekt
5W
Grindspänning
±20V
Montering/installation
SMD
Polaritet
unipolär
RoHS
ja
Typ av transistor
P-MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay