P-kanal transistor SI4435BDY, 7A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 5uA. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Avloppsskydd: diod. Driftstemperatur: -55...+150°C. G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): 5.6A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 50A. Kanaltyp: P. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 1.5W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 0.015 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 110 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Trr-diod (Min.): 60 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:30