P-kanal transistor SI4431BDY-T1-E3, SO8, MS-012, -30V. Hölje: SO8. Kapsling (JEDEC-standard): MS-012. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Antal terminaler: 8. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 110 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1600pF. Dränera ström -ID (a) @ 25 ° C: -5.7A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ -7.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: -3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: SI4431BDY-T1-E3. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay (siliconix). Antal i lager uppdaterad den 01/01/2026, 12:11