P-kanal transistor SI4425BDY, 11.4A, 5uA, SO, SO-8, 30 v
Kvantitet
Enhetspris
1-4
19.94kr
5-49
16.48kr
50-99
13.91kr
100+
12.40kr
| Antal i lager: 36 |
P-kanal transistor SI4425BDY, 11.4A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 11.4A. Idss (max): 5uA. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. Driftstemperatur: -55...+150°C. G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): 9.1A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 50A. Kanaltyp: P. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 2.5W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 0.01 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 100 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Trr-diod (Min.): 41ms. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:30
SI4425BDY
26 parametrar
ID (T=25°C)
11.4A
Idss (max)
5uA
Hölje
SO
Hölje (enligt datablad)
SO-8
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
Driftstemperatur
-55...+150°C
G-S Skydd
nej
ID (T=100°C)
9.1A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
50A
Kanaltyp
P
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
2.5W
Port-/källspänning Vgs
20V
Resistans Rds På
0.01 Ohms
RoHS
ja
Td(av)
100 ns
Td(på)
15 ns
Teknik
TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET
Trr-diod (Min.)
41ms
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay