P-kanal transistor SI4401BDY, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V
Kvantitet
Enhetspris
1-4
21.95kr
5-49
18.14kr
50-99
15.31kr
100+
13.85kr
| Antal i lager: 82 |
P-kanal transistor SI4401BDY, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (max): 10uA. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 40V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Avloppsskydd: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): 5.9A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 50A. Kanaltyp: P. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 1.5W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 97 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Trr-diod (Min.): 35ms. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:30
SI4401BDY
27 parametrar
ID (T=25°C)
8.7A
Idss (max)
10uA
Hölje
SO
Hölje (enligt datablad)
SO-8
Spänning Vds(max)
40V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
8
Avloppsskydd
ja
Driftstemperatur
-55...+150°C
G-S Skydd
nej
ID (T=100°C)
5.9A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
50A
Kanaltyp
P
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
1.5W
Port-/källspänning Vgs
20V
Resistans Rds På
0.011 Ohms
RoHS
ja
Td(av)
97 ns
Td(på)
16 ns
Teknik
TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET
Trr-diod (Min.)
35ms
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay