P-kanal transistor SI3441BD, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V

P-kanal transistor SI3441BD, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
3.72kr
5-49
2.69kr
50-99
2.23kr
100+
2.01kr
Antal i lager: 2713

P-kanal transistor SI3441BD, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V. ID (T=25°C): 2.45A. Idss (max): 5nA. Hölje: TSOP. Hölje (enligt datablad): TSOP-6. Spänning Vds(max): 20V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 6. Avloppsskydd: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): 1.95A. IDss (min): 1nA. Id(imp): 16A. Kanaltyp: P. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 1nA. Port-/källspänning Vgs: 8V. Resistans Rds På: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 30 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 0.45V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:30

Teknisk dokumentation (PDF)
SI3441BD
26 parametrar
ID (T=25°C)
2.45A
Idss (max)
5nA
Hölje
TSOP
Hölje (enligt datablad)
TSOP-6
Spänning Vds(max)
20V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
6
Avloppsskydd
ja
Driftstemperatur
-55...+150°C
G-S Skydd
nej
ID (T=100°C)
1.95A
IDss (min)
1nA
Id(imp)
16A
Kanaltyp
P
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
1nA
Port-/källspänning Vgs
8V
Resistans Rds På
0.07 Ohms
RoHS
ja
Td(av)
30 ns
Td(på)
15 ns
Teknik
TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET
Trr-diod (Min.)
50 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
0.45V
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay