P-kanal transistor RJP63F4A, TO-220FP, TO-220F, 630V

P-kanal transistor RJP63F4A, TO-220FP, TO-220F, 630V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
191.90kr
5-9
181.04kr
10-24
169.36kr
25+
157.68kr
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen
Slut i lager

P-kanal transistor RJP63F4A, TO-220FP, TO-220F, 630V. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 630V. Antal terminaler: 3. C(tum): 1250pF. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Ic(puls): 200A. Kanaltyp: P. Kollektorström: 40A. Kostnad): 40pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: Panasonic--TX-P50VT20EA. Td(av): 50 ns. Td(på): 20 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Panasonic. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 10:40

Teknisk dokumentation (PDF)
RJP63F4A
23 parametrar
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220F
Kollektor-/emitterspänning Vceo
630V
Antal terminaler
3
C(tum)
1250pF
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-55...+150°C
Germanium diod
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
2.5V
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
5V
Grind/sändarspänning VGE
30 v
Ic(puls)
200A
Kanaltyp
P
Kollektorström
40A
Kostnad)
40pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
1.7V
Pd (effektförlust, max)
30W
RoHS
ja
Spec info
Panasonic--TX-P50VT20EA
Td(av)
50 ns
Td(på)
20 ns
Originalprodukt från tillverkaren
Panasonic