P-kanal transistor MMBFJ177LT1G, SOT-23, -30V

P-kanal transistor MMBFJ177LT1G, SOT-23, -30V

Kvantitet
Enhetspris
1-99
14.59kr
100+
8.63kr
Antal i lager: 3054

P-kanal transistor MMBFJ177LT1G, SOT-23, -30V. Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): -. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Antal terminaler: 3. Dräneringsström Idss [A] @ Ug=0V: -20mA. Gate-source brytpunktsspänning Ugss [V] @ Uds=0V: +2.5V @ -15V. Komponentfamilj: P-kanal JFET transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: 6Y. Originalprodukt från tillverkaren: Onsemi (fairchild). Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:06

Teknisk dokumentation (PDF)
MMBFJ177LT1G
12 parametrar
Hölje
SOT-23
Drain-source spänning Uds [V]
-30V
Antal terminaler
3
Dräneringsström Idss [A] @ Ug=0V
-20mA
Gate-source brytpunktsspänning Ugss [V] @ Uds=0V
+2.5V @ -15V
Komponentfamilj
P-kanal JFET transistor
Konfiguration
ytmonterad komponent (SMD)
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
0.225W
RoHS
ja
Tillverkarens märkning
6Y
Originalprodukt från tillverkaren
Onsemi (fairchild)