P-kanal transistor MMBFJ175, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v
Kvantitet
Enhetspris
1-4
4.07kr
5-49
3.43kr
50-99
2.97kr
100-199
2.70kr
200+
2.33kr
| Antal i lager: 188 |
P-kanal transistor MMBFJ175, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Idss (max): 60mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. C(tum): 11pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Grind/källa spänning (av) max.: 6V. Grind/källa spänning (av) min.: 3V. IDss (min): 7mA. IGF: 50mA. Kanaltyp: P. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 3000. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 6W. Obs: screentryck/SMD-kod 6W. Pd (effektförlust, max): 225mW. RoHS: ja. Teknik: P-Channel Switch. Typ av transistor: JFET. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 18:37
MMBFJ175
23 parametrar
Idss (max)
60mA
Hölje
SOT-23 ( TO-236 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
C(tum)
11pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Grind/källa spänning (av) max.
6V
Grind/källa spänning (av) min.
3V
IDss (min)
7mA
IGF
50mA
Kanaltyp
P
Konditionering
rulla
Konditioneringsenhet
3000
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
6W
Obs
screentryck/SMD-kod 6W
Pd (effektförlust, max)
225mW
RoHS
ja
Teknik
P-Channel Switch
Typ av transistor
JFET
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor