P-kanal transistor IXTK90P20P, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V

P-kanal transistor IXTK90P20P, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
320.41kr
5-9
305.15kr
10-19
287.11kr
20+
270.70kr
Antal i lager: 22

P-kanal transistor IXTK90P20P, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. ID (T=25°C): 90A. Idss (max): 250uA. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 12pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: P-Channel Enhancement Mode. G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): -. IDss (min): 50uA. Id(imp): 270A. Kanaltyp: P. Kostnad): 2210pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 890W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 0.044 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 89 ns. Td(på): 32 ns. Teknik: PolarPTM Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 315 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 21:11

Teknisk dokumentation (PDF)
IXTK90P20P
28 parametrar
ID (T=25°C)
90A
Idss (max)
250uA
Hölje
TO-264 ( TOP-3L )
Hölje (enligt datablad)
TO-264
Spänning Vds(max)
200V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
12pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
P-Channel Enhancement Mode
G-S Skydd
nej
IDss (min)
50uA
Id(imp)
270A
Kanaltyp
P
Kostnad)
2210pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
890W
Port-/källspänning Vgs
20V
Resistans Rds På
0.044 Ohms
RoHS
ja
Td(av)
89 ns
Td(på)
32 ns
Teknik
PolarPTM Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
315 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
IXYS