P-kanal transistor IXGR40N60B2D1, 200A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V

P-kanal transistor IXGR40N60B2D1, 200A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
200.91kr
5-9
185.96kr
10-24
173.79kr
25+
163.91kr
Antal i lager: 11

P-kanal transistor IXGR40N60B2D1, 200A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V. Ic(T=100°C): 200A. Hölje: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Hölje (enligt datablad): ISOPLUS247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. C(tum): 2560pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: C2-Class High Speed IGBT. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 33A. Kanaltyp: P. Kollektorström: 60A. Kostnad): 210pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.9V. Obs: isolerat hölje. Pd (effektförlust, max): 167W. RoHS: ja. Td(av): 130 ns. Td(på): 18 ns. Trr-diod (Min.): 25 ns. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 19:59

Teknisk dokumentation (PDF)
IXGR40N60B2D1
26 parametrar
Ic(T=100°C)
200A
Hölje
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Hölje (enligt datablad)
ISOPLUS247
Kollektor-/emitterspänning Vceo
600V
Antal terminaler
3
C(tum)
2560pF
CE-diod
ja
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
C2-Class High Speed IGBT
Germanium diod
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
3V
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
5V
Grind/sändarspänning VGE
20V
Ic(puls)
33A
Kanaltyp
P
Kollektorström
60A
Kostnad)
210pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
1.9V
Obs
isolerat hölje
Pd (effektförlust, max)
167W
RoHS
ja
Td(av)
130 ns
Td(på)
18 ns
Trr-diod (Min.)
25 ns
Originalprodukt från tillverkaren
IXYS