P-kanal transistor IRLML6402, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V

P-kanal transistor IRLML6402, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
3.95kr
5-49
3.32kr
50-99
2.85kr
100-199
2.46kr
200+
1.98kr
Antal i lager: 275

P-kanal transistor IRLML6402, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. ID (T=25°C): 3.7A. Idss (max): 25uA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spänning Vds(max): 20V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 633pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): 2.2A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 22A. Kanaltyp: P. Kostnad): 145pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 1.3W. Resistans Rds På: 0.05 Ohms. Td(av): 588 ns. Td(på): 350 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.2V. Vgs(th) min.: 0.4V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:38

Teknisk dokumentation (PDF)
IRLML6402
27 parametrar
ID (T=25°C)
3.7A
Idss (max)
25uA
Hölje
SOT-23 ( TO-236 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 )
Spänning Vds(max)
20V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
633pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Ultra Low On-Resistance
G-S Skydd
nej
ID (T=100°C)
2.2A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
22A
Kanaltyp
P
Kostnad)
145pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
1.3W
Resistans Rds På
0.05 Ohms
Td(av)
588 ns
Td(på)
350 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
1.2V
Vgs(th) min.
0.4V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier