P-kanal transistor IRLML6302, SOT23
Kvantitet
Enhetspris
1-4
18.38kr
5-9
11.47kr
10-19
9.85kr
20-49
9.04kr
50+
8.38kr
| Slut i lager | |
| Få ett meddelande via e-post när denna produkt finns i lager igen! | |
P-kanal transistor IRLML6302, SOT23. Hölje: SOT23. Avgift: 2.4nC. Dräneringskälla spänning: -20V. Dräneringsström: -620mA, -0.62A. Effekt: 0.54W. Egenskaper för halvledare: Logisk nivå. Grindspänning: 12V, ±12V. Montering/installation: SMD. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Teknik: HEXFET®. Termisk motstånd: 230K/W. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon (irf). Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:15
IRLML6302
13 parametrar
Hölje
SOT23
Avgift
2.4nC
Dräneringskälla spänning
-20V
Dräneringsström
-620mA, -0.62A
Effekt
0.54W
Egenskaper för halvledare
Logisk nivå
Grindspänning
12V, ±12V
Montering/installation
SMD
Polaritet
unipolär
RoHS
ja
Teknik
HEXFET®
Termisk motstånd
230K/W
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon (irf)