P-kanal transistor IRFR9220, 3.6A, 500uA, D-PAK ( TO-252AA ), 200V

P-kanal transistor IRFR9220, 3.6A, 500uA, D-PAK ( TO-252AA ), 200V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
13.20kr
5-24
11.09kr
25-49
9.73kr
50-99
9.36kr
100+
7.13kr
Antal i lager: 87

P-kanal transistor IRFR9220, 3.6A, 500uA, D-PAK ( TO-252AA ), 200V. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (max): 500uA. Hölje (enligt datablad): D-PAK ( TO-252AA ). Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 340pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: dynamiskt dv/dt-förhållande, snabb växling. G-S Skydd: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2V. ID (T=100°C): 2.3A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 14A. Kanaltyp: P. Kostnad): 110pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 42W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Td(av): 7.3 ns. Td(på): 8.8 ns. Teknik: Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 02:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFR9220
27 parametrar
ID (T=25°C)
3.6A
Idss (max)
500uA
Hölje (enligt datablad)
D-PAK ( TO-252AA )
Spänning Vds(max)
200V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
340pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
dynamiskt dv/dt-förhållande, snabb växling
G-S Skydd
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
2V
ID (T=100°C)
2.3A
IDss (min)
100uA
Id(imp)
14A
Kanaltyp
P
Kostnad)
110pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
42W
Port-/källspänning Vgs
20V
Resistans Rds På
1.5 Ohms
Td(av)
7.3 ns
Td(på)
8.8 ns
Teknik
Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
150 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier