P-kanal transistor IRFR9120N, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V

P-kanal transistor IRFR9120N, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
13.18kr
5-24
11.22kr
25-49
9.90kr
50-99
8.99kr
100+
7.64kr
Antal i lager: 107

P-kanal transistor IRFR9120N, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (max): 250uA. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: ja. C(tum): 350pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): 4.2A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 26A. Kanaltyp: P. Kostnad): 110pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 40W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 28 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 02:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFR9120N
30 parametrar
ID (T=25°C)
6.6A
Idss (max)
250uA
Hölje
D-PAK ( TO-252 )
Hölje (enligt datablad)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Avloppsskydd
ja
C(tum)
350pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
ID (T=100°C)
4.2A
IDss (min)
25uA
Id(imp)
26A
Kanaltyp
P
Kostnad)
110pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
40W
Port-/källspänning Vgs
20V
Resistans Rds På
0.48 Ohms
RoHS
ja
Td(av)
28 ns
Td(på)
14 ns
Teknik
HEXFET® Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
100 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier