P-kanal transistor IRFR5305PBF, TO252AA, DPAK
Kvantitet
Enhetspris
1-4
23.31kr
5-9
14.56kr
10-19
12.79kr
20-49
11.84kr
50+
11.10kr
| Antal i lager: 15 |
P-kanal transistor IRFR5305PBF, TO252AA, DPAK. Hölje: TO252AA, DPAK. Avgift: 42nC. Bostadsmotstånd: 1.4K/W. Dräneringskälla spänning: -55V. Dräneringsström: -31A. Effekt: 89W. Grindspänning: 20V, ±20V. Montering/installation: SMD. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Teknik: HEXFET®. Typ av transistor: P-MOSFET, HEXFET. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:15
IRFR5305PBF
13 parametrar
Hölje
TO252AA, DPAK
Avgift
42nC
Bostadsmotstånd
1.4K/W
Dräneringskälla spänning
-55V
Dräneringsström
-31A
Effekt
89W
Grindspänning
20V, ±20V
Montering/installation
SMD
Polaritet
unipolär
RoHS
ja
Teknik
HEXFET®
Typ av transistor
P-MOSFET, HEXFET
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier