P-kanal transistor IRFD9220, DIP, 0.56A, 0.56A, DH-1 house, DIP-4, 200V

Kvantitet

Enhetspris

1-4

13.44kr

5-24

11.11kr

25-49

9.37kr

50+

8.48kr

+25 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 26

P-kanal transistor IRFD9220, DIP, 0.56A, 0.56A, DH-1 house, DIP-4, 200V. Hölje: DIP. ID (T=25°C): 0.56A. Idss (max): 0.56A. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 4. Avgift: 15nC. Dräneringskälla spänning: -200V. Dräneringsström: -600mA, -0.36A. Effekt: 1W. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. Grindspänning: ±20V. ID (T=100°C): 0.34A. Kanaltyp: P. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 1W. Polaritet: unipolär. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Tillverkarens märkning: IRFD9220PBF. Typ av transistor: P-MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43

Teknisk dokumentation (PDF)

IRFD9220

24 parametrar

Hölje

DIP

ID (T=25°C)

0.56A

Idss (max)

0.56A

Hölje (enligt datablad)

DH-1 house, DIP-4

Spänning Vds(max)

200V

Antal per fodral

Antal terminaler

Avgift

15nC

Dräneringskälla spänning

-200V

Dräneringsström

-600mA, -0.36A

Effekt

Funktion

P-kanal MOSFET transistor

Grindspänning

±20V

ID (T=100°C)

0.34A

Kanaltyp

Montering/installation

Genomgående hålmontering på kretskort

Pd (effektförlust, max)

Polaritet

unipolär

Resistans Rds På

1.5 Ohms

RoHS

Teknik

HEXFET Power MOSFET

Tillverkarens märkning

IRFD9220PBF

Typ av transistor

P-MOSFET

Originalprodukt från tillverkaren

International Rectifier