P-kanal transistor IRFD9120, DIP, 0.1A, 0.1A, DH-1 house, DIP-4, 100V
| +5 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen | |
| Slut i lager |
P-kanal transistor IRFD9120, DIP, 0.1A, 0.1A, DH-1 house, DIP-4, 100V. Hölje: DIP. ID (T=25°C): 0.1A. Idss (max): 0.1A. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 4. Avgift: 18nC. Dräneringskälla spänning: -100V. Dräneringsström: -1A, -0.7A. Effekt: 1.3W. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. Grindspänning: ±20V. ID (T=100°C): 0.6A. Kanaltyp: P. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Polaritet: unipolär. Resistans Rds På: 0.6 Ohms. RoHS: ja. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Tillverkarens märkning: IRFD9120PBF. Typ av transistor: P-MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43