P-kanal transistor IRFD9110, 0.7A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=25°C): 0.7A. Idss (max): 500uA. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 4. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 200pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): 0.49A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 5.6A. Kanaltyp: P. Kostnad): 94pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 15 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: HEXFET POWWER MOSFET. Trr-diod (Min.): 82 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43