P-kanal transistor IRFD9024, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V

P-kanal transistor IRFD9024, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
13.32kr
5-24
11.01kr
25-49
9.29kr
50+
8.40kr
Antal i lager: 198

P-kanal transistor IRFD9024, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=25°C): 1.8A. Idss (max): 500uA. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 4. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 570pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): 1.1A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 13A. Kanaltyp: P. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 100dB. Kostnad): 360pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(av): 15 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: FET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFD9024
32 parametrar
ID (T=25°C)
1.8A
Idss (max)
500uA
Hölje
DIP
Hölje (enligt datablad)
DH-1 house, DIP-4
Spänning Vds(max)
60V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
4
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
570pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
ID (T=100°C)
1.1A
IDss (min)
100uA
Id(imp)
13A
Kanaltyp
P
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
100dB
Kostnad)
360pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
1.3W
Port-/källspänning Vgs
20V
Resistans Rds På
0.28 Ohms
RoHS
ja
Spec info
Dynamic dv/dt Rating
Td(av)
15 ns
Td(på)
13 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
100 ns
Typ av transistor
FET
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier