P-kanal transistor IRFD9014, 1.1A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=25°C): 1.1A. Idss (max): 500uA. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 4. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 270pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): 0.8A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 8.8A. Kanaltyp: P. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 100dB. Kostnad): 170pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 10 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: FET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43