P-kanal transistor IRF9Z34NS, D2PAK ( TO-263 ), 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), 55V

P-kanal transistor IRF9Z34NS, D2PAK ( TO-263 ), 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), 55V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
16.14kr
5-24
14.10kr
25-49
12.38kr
50-99
10.96kr
100+
9.08kr
+1 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 606

P-kanal transistor IRF9Z34NS, D2PAK ( TO-263 ), 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), 55V. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 250uA. Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 23.3nC. Avloppsskydd: ja. Bostadsmotstånd: 2.2K/W. C(tum): 620pF. Dräneringskälla spänning: -55V. Dräneringsström: -19A. Effekt: 68W. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. G-S Skydd: nej. Grindspänning: 20V, ±20V. ID (T=100°C): 14A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 68A. Kanaltyp: P. Kostnad): 280pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Motstånd mot tillstånd: 100M Ohms. Pd (effektförlust, max): 68W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 30 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 54ms. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF9Z34NS
37 parametrar
Hölje
D2PAK ( TO-263 )
ID (T=25°C)
19A
Idss (max)
250uA
Hölje (enligt datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spänning Vds(max)
55V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avgift
23.3nC
Avloppsskydd
ja
Bostadsmotstånd
2.2K/W
C(tum)
620pF
Dräneringskälla spänning
-55V
Dräneringsström
-19A
Effekt
68W
Funktion
P-kanal MOSFET transistor
G-S Skydd
nej
Grindspänning
20V, ±20V
ID (T=100°C)
14A
IDss (min)
25uA
Id(imp)
68A
Kanaltyp
P
Kostnad)
280pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Motstånd mot tillstånd
100M Ohms
Pd (effektförlust, max)
68W
Polaritet
unipolär
Port-/källspänning Vgs
20V
Resistans Rds På
0.10 Ohms
RoHS
ja
Td(av)
30 ns
Td(på)
13 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
54ms
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier