P-kanal transistor IRF9Z34N, TO-220, 19A, 250uA, TO-220AB, 55V. Hölje: TO-220. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 250uA. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 23.3nC. Avloppsskydd: ja. Bostadsmotstånd: 1.73K/W. C(tum): 620pF. Dräneringskälla spänning: -55V. Dräneringsström: -19A. Effekt: 68W. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. G-S Skydd: nej. Grindspänning: 20V, ±20V. ID (T=100°C): 14A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 68A. Kanaltyp: P. Konditionering: tubus. Kostnad): 280pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Motstånd mot tillstånd: 100M Ohms. Pd (effektförlust, max): 68W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 30 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 54ms. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43