P-kanal transistor IRF9Z24NPBF, 12A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 250uA. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 350pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): 8.5A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 48A. Kanaltyp: P. Kostnad): 170pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 45W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 0.175 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 23 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 47 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43