P-kanal transistor IRF9953, SO8
Kvantitet
Enhetspris
1-4
45.51kr
5-9
30.00kr
10-19
27.77kr
20-49
26.40kr
50+
25.20kr
| Antal i lager: 1 |
P-kanal transistor IRF9953, SO8. Hölje: SO8. Avgift: 6.1nC. Dräneringskälla spänning: -30V. Dräneringsström: -2.3A. Effekt: 2W. Grindspänning: 20V. Montering/installation: SMD. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Termisk motstånd: 62.5K/W. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon (irf). Antal i lager uppdaterad den 09/09/2025, 15:10
IRF9953
11 parametrar
Hölje
SO8
Avgift
6.1nC
Dräneringskälla spänning
-30V
Dräneringsström
-2.3A
Effekt
2W
Grindspänning
20V
Montering/installation
SMD
Polaritet
unipolär
RoHS
ja
Termisk motstånd
62.5K/W
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon (irf)