P-kanal transistor IRF9640, TO-220, 11A, 500uA, TO-220AB, 200V

P-kanal transistor IRF9640, TO-220, 11A, 500uA, TO-220AB, 200V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
18.96kr
5-24
15.72kr
25-49
14.61kr
50-99
12.84kr
100+
10.59kr
+25 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 108

P-kanal transistor IRF9640, TO-220, 11A, 500uA, TO-220AB, 200V. Hölje: TO-220. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 500uA. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1. Avgift: 44nC. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1200pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Dräneringskälla spänning: -200V. Dräneringsström: -11A, -6.8A. Effekt: 125W. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. Grindspänning: ±20V. ID (T=100°C): 6.6A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 44A. Kanaltyp: P. Konditionering: tubus. Kostnad): 370pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Motstånd mot tillstånd: 0.5 Ohms. Pd (effektförlust, max): 125W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 39 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF9640
37 parametrar
Hölje
TO-220
ID (T=25°C)
11A
Idss (max)
500uA
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
200V
Antal per fodral
1
Avgift
44nC
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1200pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Dräneringskälla spänning
-200V
Dräneringsström
-11A, -6.8A
Effekt
125W
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
Grindspänning
±20V
ID (T=100°C)
6.6A
IDss (min)
100uA
Id(imp)
44A
Kanaltyp
P
Konditionering
tubus
Kostnad)
370pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Motstånd mot tillstånd
0.5 Ohms
Pd (effektförlust, max)
125W
Polaritet
unipolär
Port-/källspänning Vgs
20V
Resistans Rds På
0.3 Ohms
RoHS
ja
Td(av)
39 ns
Td(på)
14 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
250 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier