P-kanal transistor IRF9610, TO-220, 1.8A, 500uA, TO-220AB, 200V

P-kanal transistor IRF9610, TO-220, 1.8A, 500uA, TO-220AB, 200V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
12.80kr
5-24
10.89kr
25-49
9.53kr
50-99
8.58kr
100+
7.19kr
Antal i lager: 181

P-kanal transistor IRF9610, TO-220, 1.8A, 500uA, TO-220AB, 200V. Hölje: TO-220. ID (T=25°C): 1.8A. Idss (max): 500uA. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 11nC. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 170pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Dräneringskälla spänning: -200V. Dräneringsström: -1A, -1.75A. Effekt: 20W. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. Grindspänning: ±20V. ID (T=100°C): 1A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 7A. Kanaltyp: P. Konditionering: tubus. Kostnad): 50pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Motstånd mot tillstånd: 3 Ohms. Pd (effektförlust, max): 20W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 3 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 10 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Tillverkarens märkning: IRF9610PBF. Trr-diod (Min.): 240 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF9610
39 parametrar
Hölje
TO-220
ID (T=25°C)
1.8A
Idss (max)
500uA
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
200V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avgift
11nC
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
170pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Dräneringskälla spänning
-200V
Dräneringsström
-1A, -1.75A
Effekt
20W
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
Grindspänning
±20V
ID (T=100°C)
1A
IDss (min)
100uA
Id(imp)
7A
Kanaltyp
P
Konditionering
tubus
Kostnad)
50pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Motstånd mot tillstånd
3 Ohms
Pd (effektförlust, max)
20W
Polaritet
unipolär
Port-/källspänning Vgs
20V
Resistans Rds På
3 Ohms
RoHS
ja
Td(av)
10 ns
Td(på)
8 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Tillverkarens märkning
IRF9610PBF
Trr-diod (Min.)
240 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay