P-kanal transistor IRF9540NPBF, -100V, 23A, TO220AB

P-kanal transistor IRF9540NPBF, -100V, 23A, TO220AB

Kvantitet
Enhetspris
2-3
30.34kr
4-49
27.71kr
50-99
23.23kr
100-399
22.63kr
400+
21.15kr
+235 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 7
Minimum: 2

P-kanal transistor IRF9540NPBF, -100V, 23A, TO220AB. Drain-source spänning (Vds): -100V. Max dräneringsström: 23A. Hölje: TO220AB. Drag: -. Effekt: 125W. Grind/källa spänning Vgs max: -20V. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström): 23A. Information: -. Kanaltyp: P. Körspänning: 10V. MSL: -. Monteringstyp: THT. Pd (effektförlust, max): 140W. Polaritet: MOSFET P. Resistans Rds På: 0.117 Ohms. Serie: -. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Vdss (Drain to Source Voltage): -100V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon. Minsta kvantitet: 2. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 22:36

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF9540NPBF
16 parametrar
Drain-source spänning (Vds)
-100V
Max dräneringsström
23A
Hölje
TO220AB
Effekt
125W
Grind/källa spänning Vgs max
-20V
Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström)
23A
Kanaltyp
P
Körspänning
10V
Monteringstyp
THT
Pd (effektförlust, max)
140W
Polaritet
MOSFET P
Resistans Rds På
0.117 Ohms
Typ av transistor
MOSFET krafttransistor
Vdss (Drain to Source Voltage)
-100V
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon
Minsta kvantitet
2