P-kanal transistor IRF9540N, TO-220, 23A, 250uA, TO-220AB, 100V

P-kanal transistor IRF9540N, TO-220, 23A, 250uA, TO-220AB, 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
19.14kr
5-24
16.50kr
25-49
14.47kr
50-99
12.73kr
100+
10.77kr
+25 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 174

P-kanal transistor IRF9540N, TO-220, 23A, 250uA, TO-220AB, 100V. Hölje: TO-220. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 250uA. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 64.7nC. Avloppsskydd: ja. Bostadsmotstånd: 1.1K/W. C(tum): 1300pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Dräneringskälla spänning: -100V. Dräneringsström: -23A. Effekt: 140W. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. Grindspänning: 20V, ±20V. ID (T=100°C): 16A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 76A. Kanaltyp: P. Konditionering: tubus. Kostnad): 400pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 140W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 0.117 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 51 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF9540N
38 parametrar
Hölje
TO-220
ID (T=25°C)
23A
Idss (max)
250uA
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avgift
64.7nC
Avloppsskydd
ja
Bostadsmotstånd
1.1K/W
C(tum)
1300pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Dräneringskälla spänning
-100V
Dräneringsström
-23A
Effekt
140W
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
Grindspänning
20V, ±20V
ID (T=100°C)
16A
IDss (min)
25uA
Id(imp)
76A
Kanaltyp
P
Konditionering
tubus
Kostnad)
400pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
140W
Polaritet
unipolär
Port-/källspänning Vgs
20V
Resistans Rds På
0.117 Ohms
RoHS
ja
Td(av)
51 ns
Td(på)
15 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
150 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier