P-kanal transistor IRF9530NSTRLPBF, D2PAK
Kvantitet
Enhetspris
1-9
39.85kr
10-49
25.51kr
50-99
24.12kr
100-199
23.53kr
200+
23.09kr
| Antal i lager: 5 |
P-kanal transistor IRF9530NSTRLPBF, D2PAK. Hölje: D2PAK. : Förbättrad. Dräneringskälla spänning: -100V. Dräneringsström: -14A. Effekt: 3.8W. Förpackning: spole. Montering/installation: SMD. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Teknik: HEXFET®. Typ av transistor: P-MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 22:22
IRF9530NSTRLPBF
12 parametrar
Hölje
D2PAK
Förbättrad
Dräneringskälla spänning
-100V
Dräneringsström
-14A
Effekt
3.8W
Förpackning
spole
Montering/installation
SMD
Polaritet
unipolär
RoHS
ja
Teknik
HEXFET®
Typ av transistor
P-MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies