P-kanal transistor IRF9520N, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V

P-kanal transistor IRF9520N, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
14.61kr
5-24
12.38kr
25-49
10.76kr
50-99
10.04kr
100+
8.90kr
Antal i lager: 263

P-kanal transistor IRF9520N, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (max): 250uA. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 350pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): 4.1A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 27A. Kanaltyp: P. Kostnad): 110pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 48W. Resistans Rds På: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 28 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF9520N
28 parametrar
ID (T=25°C)
6.8A
Idss (max)
250uA
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
350pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
P-kanal MOSFET transistor
G-S Skydd
nej
ID (T=100°C)
4.1A
IDss (min)
25uA
Id(imp)
27A
Kanaltyp
P
Kostnad)
110pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
48W
Resistans Rds På
0.48 Ohms
RoHS
ja
Td(av)
28 ns
Td(på)
14 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
100 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier