P-kanal transistor IRF9310, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v

P-kanal transistor IRF9310, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v

Kvantitet
Enhetspris
1-4
18.84kr
5-24
16.73kr
25-49
15.60kr
50-94
13.61kr
95+
11.58kr
Antal i lager: 59

P-kanal transistor IRF9310, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 150uA. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Avloppsskydd: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: växlingskretsar för bärbara datorer. G-S Skydd: ja. ID (T=100°C): 7.1A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 160A. Kanaltyp: P. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 2.5W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 0.039 Ohms. Td(av): 65 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET transistor. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.3V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF9310
26 parametrar
ID (T=25°C)
20A
Idss (max)
150uA
Hölje
SO
Hölje (enligt datablad)
SO-8
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
8
Avloppsskydd
nej
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
växlingskretsar för bärbara datorer
G-S Skydd
ja
ID (T=100°C)
7.1A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
160A
Kanaltyp
P
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
2.5W
Port-/källspänning Vgs
20V
Resistans Rds På
0.039 Ohms
Td(av)
65 ns
Td(på)
25 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET transistor
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2.4V
Vgs(th) min.
1.3V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier