P-kanal transistor IRF7416, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v

P-kanal transistor IRF7416, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v

Kvantitet
Enhetspris
1-4
12.74kr
5-49
10.53kr
50-99
8.89kr
100+
7.98kr
Antal i lager: 30

P-kanal transistor IRF7416, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 25uA. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1700pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): 7.1A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 45A. Kanaltyp: P. Kostnad): 890pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 2.5W. Resistans Rds På: 0.02 Ohms. Td(av): 59 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 56 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.04V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF7416
28 parametrar
ID (T=25°C)
10A
Idss (max)
25uA
Hölje
SO
Hölje (enligt datablad)
SO-8
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
8
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1700pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Ultra Low On-Resistance
G-S Skydd
nej
ID (T=100°C)
7.1A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
45A
Kanaltyp
P
Kostnad)
890pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
2.5W
Resistans Rds På
0.02 Ohms
Td(av)
59 ns
Td(på)
18 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
56 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2.04V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier