P-kanal transistor IRF7342, SO, SO-8
Kvantitet
Enhetspris
1-4
14.27kr
5-24
11.97kr
25-49
10.50kr
50-99
9.78kr
100+
8.46kr
| +1 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 75 |
P-kanal transistor IRF7342, SO, SO-8. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 8. Avgift: 26nC. Dräneringskälla spänning: -55V. Dräneringsström: -3.4A. Effekt: 2W. Ekvivalenta: IRF7342PBF. Funktion: IDM--27Ap. Grindspänning: 20V, ±20V. Kanaltyp: P. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 2W. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Termisk motstånd: 62.5K/W. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43
IRF7342
19 parametrar
Hölje
SO
Hölje (enligt datablad)
SO-8
Antal per fodral
2
Antal terminaler
8
Avgift
26nC
Dräneringskälla spänning
-55V
Dräneringsström
-3.4A
Effekt
2W
Ekvivalenta
IRF7342PBF
Funktion
IDM--27Ap
Grindspänning
20V, ±20V
Kanaltyp
P
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
2W
Polaritet
unipolär
RoHS
ja
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Termisk motstånd
62.5K/W
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier