P-kanal transistor IRF7314, SO, SO-8
Kvantitet
Enhetspris
1-4
10.51kr
5-49
8.34kr
50-94
7.00kr
95+
6.19kr
| +3 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 271 |
P-kanal transistor IRF7314, SO, SO-8. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 8. Avgift: 19nC. Dräneringskälla spänning: -20V. Dräneringsström: -5.3A. Effekt: 2W. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. Grindspänning: 12V, ±12V. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Teknik: HEXFET®. Termisk motstånd: 62.5K/W. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:27
IRF7314
16 parametrar
Hölje
SO
Hölje (enligt datablad)
SO-8
Antal per fodral
2
Antal terminaler
8
Avgift
19nC
Dräneringskälla spänning
-20V
Dräneringsström
-5.3A
Effekt
2W
Funktion
P-kanal MOSFET transistor
Grindspänning
12V, ±12V
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Polaritet
unipolär
RoHS
ja
Teknik
HEXFET®
Termisk motstånd
62.5K/W
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier