P-kanal transistor IRF7205PBF, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v

P-kanal transistor IRF7205PBF, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v

Kvantitet
Enhetspris
1-1
8.29kr
2-4
8.29kr
5-49
6.58kr
50-99
5.94kr
100+
4.86kr
Antal i lager: 707

P-kanal transistor IRF7205PBF, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 4.6A. Idss (max): 5uA. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 870pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): 3.7A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 15A. Kanaltyp: P. Kostnad): 720pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 2.5W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 97 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:08

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF7205PBF
30 parametrar
ID (T=25°C)
4.6A
Idss (max)
5uA
Hölje
SO
Hölje (enligt datablad)
SO-8
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
8
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
870pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
ID (T=100°C)
3.7A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
15A
Kanaltyp
P
Kostnad)
720pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
2.5W
Port-/källspänning Vgs
20V
Resistans Rds På
0.07 Ohms
RoHS
ja
Td(av)
97 ns
Td(på)
14 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
70 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier