P-kanal transistor IRF7204, SO8
Kvantitet
Enhetspris
1-4
16.25kr
5-9
10.15kr
10-19
8.46kr
20-49
7.57kr
50+
6.93kr
| Antal i lager: 15 |
P-kanal transistor IRF7204, SO8. Hölje: SO8. Avgift: 25nC. Dräneringskälla spänning: -20V. Dräneringsström: -5.3A. Effekt: 2.5W. Grindspänning: 12V, ±12V. Montering/installation: SMD. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Teknik: HEXFET®. Termisk motstånd: 50K/W. Typ av transistor: P-MOSFET, HEXFET. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon (irf). Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 22:22
IRF7204
13 parametrar
Hölje
SO8
Avgift
25nC
Dräneringskälla spänning
-20V
Dräneringsström
-5.3A
Effekt
2.5W
Grindspänning
12V, ±12V
Montering/installation
SMD
Polaritet
unipolär
RoHS
ja
Teknik
HEXFET®
Termisk motstånd
50K/W
Typ av transistor
P-MOSFET, HEXFET
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon (irf)