P-kanal transistor IRF6215SPBF, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V

P-kanal transistor IRF6215SPBF, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
20.56kr
5-24
16.99kr
25-49
15.34kr
50+
13.88kr
Antal i lager: 33

P-kanal transistor IRF6215SPBF, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 250uA. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 150V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: ja. C(tum): 860pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): 9A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 44A. Kanaltyp: P. Kostnad): 220pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 110W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 0.29 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 53 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 160 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:08

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF6215SPBF
30 parametrar
ID (T=25°C)
13A
Idss (max)
250uA
Hölje
D2PAK ( TO-263 )
Hölje (enligt datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spänning Vds(max)
150V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Avloppsskydd
ja
C(tum)
860pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
ID (T=100°C)
9A
IDss (min)
25uA
Id(imp)
44A
Kanaltyp
P
Kostnad)
220pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
110W
Port-/källspänning Vgs
20V
Resistans Rds På
0.29 Ohms
RoHS
ja
Td(av)
53 ns
Td(på)
14 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
160 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier