P-kanal transistor IRF5305SPBF, D²-PAK, TO-263, -55V. Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: -55V. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 39 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1200pF. Dränera ström -ID (a) @ 25 ° C: -31A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Max temperatur: +175°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 110W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: F5305S. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 21:22