P-kanal transistor IRF5305, TO-220, 31A, 250uA, TO-220AB, 55V

P-kanal transistor IRF5305, TO-220, 31A, 250uA, TO-220AB, 55V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
16.65kr
5-24
14.13kr
25-49
12.34kr
50-99
11.22kr
100+
9.62kr
+10 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 50

P-kanal transistor IRF5305, TO-220, 31A, 250uA, TO-220AB, 55V. Hölje: TO-220. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 250uA. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 42nC. Avloppsskydd: zenerdiod. Bostadsmotstånd: 1.4K/W. C(tum): 1200pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Dräneringskälla spänning: -55V. Dräneringsström: -31A. Effekt: 110W. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. Grindspänning: 20V, ±20V. ID (T=100°C): 22A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 110A. Kanaltyp: P. Konditionering: tubus. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 520pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 110W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 0.06 Ohms. RoHS: ja. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(av): 39 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 71 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF5305
40 parametrar
Hölje
TO-220
ID (T=25°C)
31A
Idss (max)
250uA
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
55V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avgift
42nC
Avloppsskydd
zenerdiod
Bostadsmotstånd
1.4K/W
C(tum)
1200pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Dräneringskälla spänning
-55V
Dräneringsström
-31A
Effekt
110W
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
Grindspänning
20V, ±20V
ID (T=100°C)
22A
IDss (min)
25uA
Id(imp)
110A
Kanaltyp
P
Konditionering
tubus
Konditioneringsenhet
50
Kostnad)
520pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
110W
Polaritet
unipolär
Port-/källspänning Vgs
20V
Resistans Rds På
0.06 Ohms
RoHS
ja
Spec info
Dynamic dv/dt Rating
Td(av)
39 ns
Td(på)
14 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
71 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier