P-kanal transistor IRF5210S, 38A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V

P-kanal transistor IRF5210S, 38A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
34.82kr
5-24
30.55kr
25-49
27.54kr
50-99
25.49kr
100+
22.24kr
Antal i lager: 129

P-kanal transistor IRF5210S, 38A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=25°C): 38A. Idss (max): 250uA. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 2860pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): 24A. IDss (min): 50uA. Id(imp): 140A. Kanaltyp: P. Kostnad): 800pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: F5210S. Pd (effektförlust, max): 3.8W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Td(av): 72 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 170 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF5210S
28 parametrar
ID (T=25°C)
38A
Idss (max)
250uA
Hölje
D2PAK ( TO-263 )
Hölje (enligt datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
2860pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
ID (T=100°C)
24A
IDss (min)
50uA
Id(imp)
140A
Kanaltyp
P
Kostnad)
800pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
F5210S
Pd (effektförlust, max)
3.8W
Port-/källspänning Vgs
20V
Td(av)
72 ns
Td(på)
14 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
170 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier