P-kanal transistor IRF5210, TO-220, 40A, 250uA, TO-220AB, 100V. Hölje: TO-220. ID (T=25°C): 40A. Idss (max): 250uA. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 120nC. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 2700pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Dräneringskälla spänning: -100V. Dräneringsström: -40A. Effekt: 200W. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. Grindspänning: ±20V. ID (T=100°C): 29A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 140A. Kanaltyp: P. Konditionering: tubus. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 790pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 200W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 0.06 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 79 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 170 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00