P-kanal transistor IRF4905, TO-220, 74A, 250uA, TO-220AB, 55V

P-kanal transistor IRF4905, TO-220, 74A, 250uA, TO-220AB, 55V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
32.38kr
5-24
27.92kr
25-49
24.70kr
50-99
22.66kr
100+
19.43kr
+20 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 139

P-kanal transistor IRF4905, TO-220, 74A, 250uA, TO-220AB, 55V. Hölje: TO-220. ID (T=25°C): 74A. Idss (max): 250uA. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 120nC. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 3400pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Dräneringskälla spänning: -55V. Dräneringsström: -74A. Effekt: 200W. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S Skydd: nej. Grindspänning: ±20V. ID (T=100°C): 52A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 260A. Kanaltyp: P. Konditionering: tubus. Kostnad): 1400pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Motstånd mot tillstånd: 20M Ohms. Pd (effektförlust, max): 200W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 0.02 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 61 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 89 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF4905
37 parametrar
Hölje
TO-220
ID (T=25°C)
74A
Idss (max)
250uA
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
55V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avgift
120nC
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
3400pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Dräneringskälla spänning
-55V
Dräneringsström
-74A
Effekt
200W
Funktion
Ultra Low On-Resistance
G-S Skydd
nej
Grindspänning
±20V
ID (T=100°C)
52A
IDss (min)
25uA
Id(imp)
260A
Kanaltyp
P
Konditionering
tubus
Kostnad)
1400pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Motstånd mot tillstånd
20M Ohms
Pd (effektförlust, max)
200W
Polaritet
unipolär
Port-/källspänning Vgs
20V
Resistans Rds På
0.02 Ohms
RoHS
ja
Td(av)
61 ns
Td(på)
18 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
89 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier