P-kanal transistor GT20D201, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1C ), 250V

P-kanal transistor GT20D201, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1C ), 250V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
289.26kr
5-9
275.48kr
10-24
251.79kr
25+
242.90kr
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen
Slut i lager

P-kanal transistor GT20D201, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1C ), 250V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264 ( 2-21F1C ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Antal terminaler: 3. C(tum): 1450pF. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: P-kanal MOS IGBT transistor. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 60A. Kanaltyp: P. Kollektorström: 20A. Kostnad): 450pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Pd (effektförlust, max): 180W. RoHS: ja. Spec info: ljudförstärkare. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:19

Teknisk dokumentation (PDF)
GT20D201
21 parametrar
Ic(T=100°C)
20A
Hölje
TO-264 ( TOP-3L )
Hölje (enligt datablad)
TO-264 ( 2-21F1C )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
250V
Antal terminaler
3
C(tum)
1450pF
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
P-kanal MOS IGBT transistor
Germanium diod
nej
Grind/sändarspänning VGE
20V
Ic(puls)
60A
Kanaltyp
P
Kollektorström
20A
Kostnad)
450pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
1.7V
Pd (effektförlust, max)
180W
RoHS
ja
Spec info
ljudförstärkare
Originalprodukt från tillverkaren
Toshiba