P-kanal transistor FQU11P06, 9.4A, 10uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V

P-kanal transistor FQU11P06, 9.4A, 10uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
16.94kr
5-24
14.35kr
25-49
12.59kr
50-99
11.54kr
100+
10.04kr
Antal i lager: 33

P-kanal transistor FQU11P06, 9.4A, 10uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 9.4A. Idss (max): 10uA. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 420pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: QFET, Low gate charge (typ--13ns). G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): 5.95A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 37.6A. Kanaltyp: P. Kostnad): 195pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 38W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Resistans Rds På: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Spec info: Low Crss (typical 45pF), Fast switching. Td(av): 45 ns. Td(på): 6.5 ns. Teknik: DMOS POWER-MOSFET. Trr-diod (Min.): 83 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:19

Teknisk dokumentation (PDF)
FQU11P06
30 parametrar
ID (T=25°C)
9.4A
Idss (max)
10uA
Hölje
TO-251 ( I-Pak )
Hölje (enligt datablad)
TO-251AA ( I-PAK )
Spänning Vds(max)
60V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
420pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
QFET, Low gate charge (typ--13ns)
G-S Skydd
nej
ID (T=100°C)
5.95A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
37.6A
Kanaltyp
P
Kostnad)
195pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
38W
Port-/källspänning Vgs
30 v
Resistans Rds På
0.15 Ohms
RoHS
ja
Spec info
Low Crss (typical 45pF), Fast switching
Td(av)
45 ns
Td(på)
6.5 ns
Teknik
DMOS POWER-MOSFET
Trr-diod (Min.)
83 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild