P-kanal transistor FQP3P50, TO-220, 2.7A, 10uA, TO220, 500V
| Kvantitet | Enhetspris | Spara |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 48.75 kr | — |
| 5 – 9 | 34.84 kr | -29% |
| 10 – 19 | 32.66 kr | -33% |
| 20 – 49 | 31.33 kr | -36% |
| 50+Bästa pris | 30.00 kr | -38% |
Teknisk beskrivning av produkten (FQP3P50):
P-kanal transistor FQP3P50, TO-220, 2.7A, 10uA, TO220, 500V. Hölje: TO-220. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (max): 10uA. Hölje (enligt datablad): TO220. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 23nC. Avloppsskydd: ja. C(tum): 510pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Dräneringskälla spänning: -500V. Dräneringsström: -2.7A. Effekt: 85W. G-S Skydd: nej. Grindspänning: ±30V. ID (T=100°C): 1.71A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 10.8A. Kanaltyp: P. Konditionering: tubus. Kostnad): 70pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Motstånd mot tillstånd: 4.9 Ohms. Pd (effektförlust, max): 85W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Resistans Rds På: 3.9 Ohms. RoHS: ja. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Td(av): 12 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Trr-diod (Min.): 270 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V